アスカコーポレーション株式会社

めっき技術のアスカが届けるワンストップサービス one stop service

2018年よりUBM〜BS(BG、BMスパッタ)〜BMを一貫して生産出来る体制をアスカコーポレーション独自に構築しました。

ワンストップサービスの展開

従来アスカコーポレーションでは半導体デバイスのUBM(Under Barrier Metal)めっき及び、適用例は限られるが抵抗を下げるために半導体ウエハ裏面に厚いめっきを形成するBM(Back Metal)めっきの2工程の受託加工を事業として展開しています。これまでは、UBM後にウエハを返却し、お客様にて基盤の薄化(BG:Backside Grind)→裏面金属形成(BM)を実施していました。

今回の開発に伴いアスカコーポれションでは、
グラインダー、スパッタ装置等を順次導入し、2018年9月よりUBM〜BS(BG、BMスパッタ)〜BMを一貫して精算できる体制を構築しました(ワンストップサービス)。

UBMプロセスフロー

お客様製品の素材の材質に合わせためっきプロセス(図1)を適用致します。製品特性によってプラズマ(ArorO2)処理も可能です。

図1:無電解めっきプロセス

UBMめっきライン

国内・海外の半導体デバイスメーカー様や研究機関から累計700万枚を超える生産実績があります。近年は自動ラインを導入し車載向け製品の拡大に注力しています。

2005年9月⇒量産めっき開始

累計生産枚数:7,320K

(2019年2月末現在)

ISO/IATF16949 認証取得
車載製品注力

【めっき仕様】
項目#2ライン(手動)#3ライン(自動)#4ライン(自動)
ウエハサイズ Φ4”,5”,6”,8”,12 Φ6”,8”,12 Φ8”
電極材質 Al,Al-Cu,Al-Si
Al-Si-Cu,Cu
Al-Cu,Al-Si-Cu,
Al-Si
Al-Cu,Al-Si-Cu,
Al-Si
めっき種類 Ni/Au
Ni/Pd/Au
Ni/厚Au
Ni/Pd/厚Au
Ni/Au
Ni/Pd/Au
Ni/Au
Ni/Pd/Au
Ni/厚Au
Ni/Pd/厚Au

多種多様なめっき仕様に対応可能
2019年1月に#4ライン(全自動機)導入済み

バックサイドプロセスⅠ

アスカコーポレーションで開発した薄ウエハテープサポートプロセスにより
裏面研削 Si厚~70μmにAg厚30μmをめっきした後でも
ウエハの反りを2mm以下に抑えることに成功しました(図1~4)。
バックグラインド時の機械的ダメージ層は
ウェットエッチングにより除去、裏面金属のSi基板への密着性を向上させるために粗面化薬品処理を施します。
これらのプロセスにより裏面工程を通してウエハの割れやチッピングのリスクを大幅に低減できました。

  • 図1:開発ステップ毎のウエハ反り
  • 図2:裏面工程毎のウエハ反り
  • 図3:ウエハキャリア内での反り
  • 図4:平板上での反り
アスカ独自のウエハサポートシステムにより

Si厚〜70μm厚膜めっきが可能

バックサイド プロセスⅡ

電解めっきでNi/Agを析出するためのシード層として
Ag(低抵抗化)/Ni(Ag拡散バリア)/Ti(基板との密着性アップ)をスパッタで形成し、その後電解めっきによりNi(Ag酸化・硫化防止)/Ag(低抵抗化)を析出させます。
シード層の膜厚はお客様のご要望にお応えいたします。

バックサイド工程における加工精度を管理するために各種検査装置を導入しています。加工規格・精度の保証についてはお客様とご相談の上、仕様を決めさせていただきます。 例えばバックグラインド・ウェット処理加工後のSi厚は狙い70μmに対してウエハ面±10%以内のばらつきに抑えることができています。

【形成可能金属膜】
シード層材料Ti,Ni,Ag,Au,Cu
めっき材料Ag,Ni,(Cu)

(Cu)は試作槽での対応

BMめっきライン

現在国内外の半導体デバイスメーカー様に 累計約56万枚のBMめっき加工ウエハを納入しています。

2013年9月⇒量産めっき開始

累計生産枚数:611,546

(2019年2月末現在)
【めっき仕様】
#1ライン, #2ライン
ウエハサイズΦ8”
裏面材質Ag
めっき種類Ag/Ni
めっき厚み~数10μm
ウエハ厚みΦ8”:100μm≧
ウエハ表面テープ保護

めっきの種類はAg、Ni以外でもご要望に応じ、
テスト槽にて検証可能です。

お問い合わせはこちら お電話でのお問い合わせはこちら 0949-23-0331

アスカコーポレーション株式会社  〒822-0007 福岡県直方市大字下境字黍田427-8